沟槽式功率金氧半场效电晶体之制作方法

摘要

一种沟槽式功率金氧半场效电晶体之制造方法。首先，形成一图案层于一基材上。然后，透过此图案层蚀刻基材，以形成闸极沟槽于基材内。接下来，以氧化方式形成一第一氧化层于闸极沟槽内，以扩大闸极沟槽之宽度。在移除第一氧化层后，形成一闸极氧化层于闸极沟槽之内侧表面。随后，透过图案层蚀刻闸极沟槽之底部，以形成一开口贯穿闸极氧化层。然后，形成一厚氧化层于此开口内。接下来，以离子植入方式形成二个第一重掺杂区于厚氧化层之两侧，以防止环绕本体区扩散至闸极沟槽之底部。