半导体电子装置

摘要

本发明有关于包含形成于由已知半导体电子装置中使用的材料构成之基底上之氧化钼之电子装置。;本发明亦有关于于一般电子与光子装置中已经使用的材料制成之基底上制造该电子装置的新方法。;适合的基底包含诸如例如矽与锗之IV元件半导体、例如砷化镓以及磷化镓之III-V化合物半导体、例如氧化锌之II-IV化合物半导体、IV化合物半导体、有机半导体、金属晶体或它们的衍生物或玻璃之材料。