发明名称 磁阻式随机存取记忆体元件及其制作方法
摘要 一种磁阻式随机存取记忆体元件,包含有:一下部电极,设于一第一绝缘层中;一环状参考层,位于一第二绝缘层的一第一介层洞内,该第二绝缘层位于该第一绝缘层上,且该环状参考层位于该下部电极正上方;一第一填缝材料层,填入该第一介层洞中;一阻障层,覆盖该环状参考层,该第二绝缘层以及该第一填缝材料层;一环状自由层,设于一第三绝缘层的一第二介层洞内,该第三绝缘层位于该第二绝缘层上,且该环状自由层位于该环状参考层正上方;以及一上部电极,堆叠于该环状自由层上。
申请公布号 TWI413237 申请公布日期 2013.10.21
申请号 TW099113689 申请日期 2010.04.29
申请人 南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 发明人 谢君毅;吴昌荣
分类号 H01L27/105;H01L21/8239 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人 戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号