发明名称 |
磁阻式随机存取记忆体元件及其制作方法 |
摘要 |
一种磁阻式随机存取记忆体元件,包含有:一下部电极,设于一第一绝缘层中;一环状参考层,位于一第二绝缘层的一第一介层洞内,该第二绝缘层位于该第一绝缘层上,且该环状参考层位于该下部电极正上方;一第一填缝材料层,填入该第一介层洞中;一阻障层,覆盖该环状参考层,该第二绝缘层以及该第一填缝材料层;一环状自由层,设于一第三绝缘层的一第二介层洞内,该第三绝缘层位于该第二绝缘层上,且该环状自由层位于该环状参考层正上方;以及一上部电极,堆叠于该环状自由层上。 |
申请公布号 |
TWI413237 |
申请公布日期 |
2013.10.21 |
申请号 |
TW099113689 |
申请日期 |
2010.04.29 |
申请人 |
南亚科技股份有限公司 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |
发明人 |
谢君毅;吴昌荣 |
分类号 |
H01L27/105;H01L21/8239 |
主分类号 |
H01L27/105 |
代理机构 |
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代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
主权项 |
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地址 |
桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |