| 摘要 |
本发明系一种III族氮化物半导体层发光元件，以及其制造方法，其中，提供对于内部量子效率及光取出效率优越之同时，对于电性特性以及生产效率优越之III族氮化物半导体层发光元件，以及其制造方法。如此之III族氮化物半导体发光元件，系于形成于基板(101)上之单结晶的基底层(103)上，形成LED构造(20)所成，基板(101)系具有(0001)C面所成之平面(11)，和于C面，由非平行之表面(12c)所成之复数的凸部(12)而成之主面(10)同时，凸部(12)的基部宽度(d1)乃作为0.05～1.5μm、高度(h)乃作为0.05～1μm，基底层(103)乃于基板(101)的主面(10)上，呈被覆平面(11)及凸部(12)地，III族氮化物半导体乃经由磊晶成长加以形成者，凸部(12)的基部宽度(d1)，和在凸部(12)之顶部(12e)位置之基底层板之顶部厚度(H2)乃以H2=kd1(但、0.5＜k＜5、H2=0.5μm以上)所示的关系。 |
