发明名称 电阻变化记忆体
摘要 本发明之例之电阻变化记忆体具备:复数根列线,该等于第一方向上延伸;复数根行线,该等在与第一方向交叉之第二方向上延伸;复数个记忆体单元,该等配置于复数根列线与复数根行线之交叉部,包含分别串联连接之电阻变化元件与二极体;第一解码器,其选择复数根列线之中之一根;第二解码器,其选择复数根行线之中之一根;电压脉冲生成电路,其生成电压脉冲;电压脉冲整形电路,其延长电压脉冲之上升时间及下降时间;以及控制电路,其于对配置于所选择之一根列线与所选择之一根行线的交叉部之记忆体单元进行资料写入时,对未选择之复数根行线施加自电压脉冲整形电路所输出之电压脉冲,并使未选择之复数根列线为固定电位。
申请公布号 TWI413120 申请公布日期 2013.10.21
申请号 TW098134428 申请日期 2009.10.09
申请人 东芝股份有限公司 日本 发明人 室冈贤一
分类号 G11C11/21 主分类号 G11C11/21
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本