| 发明名称 |
半导体装置及其制作方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置，包括：一基底；一埋藏层，位于该基底内；以及一第一深沟渠接触结构，形成该基底内，其中该第一深沟渠接触结构包含一导电材料，以及一位于该导电材料之侧壁上的衬垫层，且该第一深沟渠接触结构之底表面与该埋藏层接触。 |
| 申请公布号 |
TWI413209 |
申请公布日期 |
2013.10.21 |
| 申请号 |
TW099101183 |
申请日期 |
2010.01.18 |
| 申请人 |
世界先进积体电路股份有限公司 新竹县新竹科学工业园区园区三路123号 |
发明人 |
林耿立;林光明;杜尚晖;张睿钧 |
| 分类号 |
H01L21/74;H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
新竹县新竹科学工业园区园区三路123号 |
