半导体元件及其制作方法

摘要

一种双通道电晶体设于一基底上，前述基底具有一向第一方向延伸之第一浅沟渠隔离和一向第二方向延伸之第二浅沟渠隔离定义出主动区域，前述之双通道电晶体系设于主动区域上，双通道电晶体包含一闸极沟渠嵌入在主动区域，并且向第二方向延伸，一闸极位于闸极沟渠中向第二方向延伸，一第一源极/汲极区和一第二源极/汲极区位于闸极相对两侧之主动区域之上表面，一第一U形通道区域位于第一源极/汲极区，一第二U形通道区域位于第二源极/汲极区之间。