| 发明名称 |
第Ⅲ族氮化物基板、附有磊晶层之基板、此等之制造方法及半导体元件之制造方法 |
| 摘要 |
本发明可获得一种可形成良好品质之磊晶成长层之第III族氮化物基板及其制造方法。作为第III族氮化物基板之GaN基板(1)之表面(3)每1 cm2之酸性物质的原子个数为2×1014以下，且该表面(3)每1 cm2之矽原子个数为3×1013以下。 |
| 申请公布号 |
TWI412637 |
申请公布日期 |
2013.10.21 |
| 申请号 |
TW096138741 |
申请日期 |
2007.10.16 |
| 申请人 |
住友电气工业股份有限公司 日本 |
发明人 |
石桥惠二;八乡昭广;入仓正登;中烟成二 |
| 分类号 |
C30B29/40;H01L21/205;H01L21/304 |
主分类号 |
C30B29/40 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
|
| 地址 |
日本 |
