发明名称 积层电容器及积层电容器之安装构造
摘要 在本发明之积层电容器(1)中,ESR控制部(12)中之内部电极(7C)之引出导体(14C、14D)之宽度(L3、L4)及内部电极(7D)之引出导体(14E、14F)之宽度(L5、L6),较静电容量部(11)中之内部电极(7A)之宽度(W1、T1)及内部电极(7B)之宽度(W2、T2)中之任一者均更狭窄。藉此,连接内部电极(7)与外部电极(3)之导体部分之剖面积受到挤压,从而可谋求ESR之进一步提高。另外,ESR控制部(12)中之各个引出导体(14C~14F)之宽度(L3~L6)较静电容量部(11)中之各个引出导体(14A、14B)之宽度(L1、L2)更宽。藉此,可有效抑制开路不良,提高产品之良率。
申请公布号 TWI413140 申请公布日期 2013.10.21
申请号 TW098103724 申请日期 2009.02.05
申请人 TDK股份有限公司 日本 发明人 青木崇
分类号 H01G4/30 主分类号 H01G4/30
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本