| 摘要 |
1. Способ снижения внутренних механических напряжений в полупроводниковой структуре, образованной нитридами металлов группы III на (0001) ориентированной инородной подложке (1), отличающийся тем, что указанный способ включает стадии:- выращивания нитрида на инородной подложке (1) с образованием первого нитридного слоя (2);- формирования рельефа на первом нитридном слое (2) путем селективного удаления объемов из него до заданной глубины от верхней поверхности (5) первого нитридного слоя (2), для обеспечения релаксации внутренних механических напряжений в оставшихся частях слоя между удаленными объемами, и- выращивания на первом нитридном слое (2) дополнительного нитрида, начиная с оставшихся частей верхней поверхности (5) первого нитридного слоя (2) до формирования непрерывного второго нитридного слоя (8), с получением замкнутых пустот (7) из удаленных объемов под вторым нитридным слоем (8) внутри полупроводниковой структуры; при этом указанное выращивание включает выращивание дополнительного нитрида так, что скорость роста постепенно уменьшается по направлению ко дну удаленных объемов для замыкания пустот (7), получаемых из удаленных объемов, так, что характеристический диаметр поперечного сечения пустот (7) по поверхности, параллельной поверхности инородной подложки (1), возрастает в зависимости от глубины.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что формирование рельефа на первом нитридном слое (2) включает удаление объемов из первого нитридного слоя (2) так, что глубина Н удаленных объемов, характеристический диаметр D поперечного сечения удаленных объемов по поверхности, параллельной поверхности инородной подложки (1), и расс� |
