| 摘要 |
1. Устройство, содержащее:первый слой, имеющий верхнюю и нижнюю поверхности, при этом указанная верхняя поверхность содержит первый материал с первым типом проводимости и имеет множество углублений на по существу плоской поверхности,активный слой, находящийся над верхней поверхностью указанного первого слоя и соответствующий по форме указанной верхней поверхности, при этом в активном слое происходит генерация света, характеризуемого длиной волны, когда в нем рекомбинируют дырки и электроны, ивторой слой, содержащий второй материал с вторым типом проводимости и имеющий верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, при этом указанная нижняя поверхность находится над указанным активным слоем и соответствует по форме активному слою, а в указанной верхней поверхности имеются выемки, которые заходят в указанные углубления.2. Устройство по п.1, в котором размер указанных углублений превышает длину волны света, генерируемого указанным активным слоем.3. Устройство по п.1, дополнительно содержащее электропроводящий слой, имеющий верхнюю поверхность и нижнюю поверхность, при этом нижняя поверхность указанного электропроводящего слоя находится над верхней поверхностью указанного второго слоя и соответствует по форме верхней поверхности указанного второго слоя.4. Устройство по п.3, в котором указанный электропроводящий слой прозрачен для света, генерируемого в указанном активном слое.5. Устройство по п.4, в котором верхняя поверхность указанного слоя электропроводящего материала заходит в указанные углубления.6. Устройство по п.1, дополнительно содержащее подложку, на которой сформирован указанный первый слой, при эт� |
