| 摘要 |
Микроэлектронный датчик давления, состоящий из чувствительного элемента в виде монокристаллической кремниевой пластины, с одной стороны которой сформированы диффузионные тензорезисторы, а со второй выполнено углубление, образующее мембрану под тензорезисторами; кремниевой прокладки, герметично соединенной со второй стороной кремниевой пластины слоем стекла, в которой со стороны пластины выполнено углубление, аналогичное по форме углублению в ней, кристаллографическая ориентация прокладки совпадает с кристаллографической ориентацией кремниевой пластины, и основания, выполненного из кремния, стекла или керамики и герметично соединенного с прокладкой слоем стекла, отличающийся тем, что основание выполнено со ступенькой, причем внешние боковые размеры верхней части основания больше или равны размеру углубления в прокладке, а внешние боковые размеры нижней части основания полностью идентичны внешним боковым размерам кремниевой пластины, при этом минимальная высота нижней части основания равна 0,75-1,25 высоты кремниевой пластины, а максимальная высота нижней части основания на 40-60 мкм меньше его полной высоты, на мембране выполнен, по крайней мере, один жесткий центр. |
