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Verfahren zur Herstellung einer Kontakt-Struktur eines Halbleiter-Bauelements umfassend die folgenden Schritte:–Bereitstellen eines flächigen Halbleiter-Substrats (2) mit–einer ersten Seite (3) und–einer dieser gegenüberliegenden zweiten Seite (4),–Maskierung mindestens einer der Seiten (3, 4) durch–Beschichten mindestens einer der Seiten (3, 4) mit einer Beschichtung (6),–bereichsweises Abtragen der Beschichtung (6) in mindestens einem, vorgegebenen Bereich,–wobei die Beschichtung (6) eine Epoxydharz umfassende Lack-Schicht umfasst, und–wobei die Lack-Schicht eine Dicke im Bereich von 1μm bis 50μm aufweist–dadurch gekennzeichnet, dass zum Abtragen eine Laser-Ablation vorgesehen ist,–wobei die Laser-Ablation mittels eines Flüssigkeitsstrahls geführten Lasers durchgeführt wird, und–der Flüssigkeitsstrahl einen Dotierstoff zur Dotierung des Halbleiter-Substrats (2) enthält.
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