Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur mit vertikalen Dielektrikumsschichten und Halbleiterbauelement

摘要

Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, das aufweist: Bereitstellen eines ersten Halbleiterkörpers (100) mit einer ersten und einer zweiten Seite (101, 102), der mehrere beabstandet zueinander angeordnete erste Dielektrikumsschichten (31) aufweist, die sich jeweils ausgehend von der ersten Seite (101) in einer vertikalen Richtung in den ersten Halbleiterkörper hinein erstrecken und den ersten Halbleiterkörper (100) in lateraler Richtung in Halbleiterabschnitte (11', 21') unterteilen; Aufbringen eines zweiten Halbleiterkörpers (200) auf die erste Seite (101) des ersten Halbleiterkörpers (100); Reduzieren einer Dicke des ersten Halbleiterkörpers (100) in vertikaler Richtung ausgehend von der zweiten Seite (102) wenigstens bis auf Höhe der ersten Dielektrikumsschichten (31).