发明名称 Vorrichtung für SRAM-Zellen
摘要 Eine Speicherzelle weist eine erste Word-Leitung in einer ersten Verbindungsschicht, eine erste VSS-Leitung, eine erste Bitleitung, eine Stromquellenleitung, eine zweite Bitleitung, eine zweite VSS-Leitung, die in einer zweiten Verbindungsschicht ausgebildet ist, und eine zweite Word-Leitung in einer dritten Verbindungsschicht auf. Die Speicherzelle weist weiterhin eine Word-Leitungsstreifenstruktur auf, die zwischen der Stromquellenleitung und der zweiten Bitleitung ausgebildet ist, wobei die Word-Leitungsstreifenstruktur die erste Word-Leitung mit der zweiten Word-Leitung verbindet.
申请公布号 DE102013101816(A1) 申请公布日期 2013.10.17
申请号 DE201310101816 申请日期 2013.02.25
申请人 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 发明人 LIAW, JHON-JHY
分类号 H01L27/11;G11C11/41 主分类号 H01L27/11
代理机构 代理人
主权项
地址