Es wird eine Laserdiodenvorrichtung angegeben, die ein Gehäuse (1) mit einem Montageteil (11) und einen auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierenden Laserdiodenchip (2) im Gehäuse (1) auf dem Montageteil (11) aufweist, wobei der Laserdiodenchip (2) mittels einer Lotschicht (3) unmittelbar auf dem Montageteil (11) montiert ist und die Lotschicht (3) eine Dicke von größer oder gleich 3 µm aufweist.
申请公布号
DE102012103160(A1)
申请公布日期
2013.10.17
申请号
DE201210103160
申请日期
2012.04.12
申请人
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人
STRAUS, UWE;TAUTZ, SOENKE;LELL, ALFRED;VIERHEILIG, CLEMENS