Verfahren zur Erzeugung einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats

摘要

Ein Verfahren zum Erzeugen zumindest einer Kavität innerhalb eines Halbleitersubstrats umfasst ein Trockenätzen des Halbleitersubstrats von einer Oberfläche des Halbleitersubstrats aus an zumindest einem beabsichtigten Kavitätsort um zumindest eine vorläufige Kavität zu erhalten. Das Verfahren umfasst auch ein Abscheiden eines Schutzmaterials hinsichtlich eines nachfolgenden Nassätzprozesses an der Oberfläche des Halbleitersubstrats und an Kavitätsoberflächen der zumindest einen vorläufigen Kavität. Weiterhin umfasst das Verfahren ein Entfernen des Schutzmaterials zumindest an einem Abschnitt eines Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität um das Halbleitersubstrat freizulegen. Es folgt ein elektrochemisches Ätzen des Halbleitersubstrats an dem freigelegten Abschnitt des Bodens der zumindest einen vorläufigen Kavität. Ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Sensorsystem, bei dem diese Art der Kavitätenbildung eingesetzt wird, ist ebenfalls offenbart. Ferner ist ein entsprechendes mikroelektromechanisches System (MEMS) offenbart.