| 摘要 |
<p>Ein FinFET umfasst ein Isolationsgebiet, welches in einem Substrat gebildet ist, eine umgekehrt T-förmige Finne, welche in dem Substrat gebildet ist, wobei ein unterer Bereich der umgekehrt T-förmigen Finne von dem Isolationsgebiet eingeschlossen ist und ein oberer Bereich der umgekehrt T-förmigen Finne über eine obere Fläche des Isolationsgebiets hervorsteht. Der FinFET umfasst weiter eine Gate-Elektrode, welche die umgekehrt T-förmige Finne einhüllt.</p> |
