| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein optisches System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für den Betrieb im EUV, mit wenigstens einer polarisationsbeeinflussenden Anordnung (100, 200, ...), welche eine erste Reflexionsfläche (110, 210, ...) und eine zweite Reflexionsfläche (120, 220, ...) aufweist, wobei die erste Reflexionsfläche (110, 210, ...) und die zweite Reflexionsfläche (120, 220, ...) relativ zueinander in einem Winkel von 0° ± 10° oder in einem Winkel von 90° ± 10° angeordnet sind, wobei im Betrieb des optischen Systems auf die erste Reflexionsfläche (110, 210, ...) auftreffendes Licht mit dieser ersten Reflexionsfläche einen Winkel von 45° ± 5° einschließt, und wobei die polarisationsbeeinflussende Anordnung (100, 200, ...) um eine Drehachse drehbar ist, welche parallel zur Lichtausbreitungsrichtung von im Betrieb des optischen Systems auf die erste Reflexionsfläche (110, 210, ...) auftreffendem Licht verläuft.</p> |
