低供电电压带隙参考电路及方法

摘要

本发明涉及低供电电压带隙参考电路及方法。一种用于在1伏特或更低工作的带隙参考电压的电路和方法，其中运算放大器（A1）仅驱动电阻器（R2，R3），使得消除由在正比于绝对温度（PTAT）回路中作为电流镜使用的公知的金属氧化物半导体器件导致的闪变噪声作用和工艺敏感度。插入两个对称的电阻分压器对（R1A/R1B，R2A/R2B），以按比例地降低双极性晶体管（Q1，Q2）的基极-发射极电压（VEB1，VEB2）和PTAT电流（IPTAT），从而输出参考电压（VREF）变得可调大小。附加的V-I转换器(319)使用VREF本身产生通过晶体管（M3，M4）的适当的偏置电流，导致最终的对工艺、电压和温度不敏感的输出参考电压，晶体管（M3，M4）分别用于偏置双极性晶体管（Q1，Q2）和电阻分压器对（R1A/R1B，R2A/R2B）。

主权项

一种用于生成参考电压的电压参考电路，包括：电压至电流转换器电路，其配置成生成第一参考电流和第二参考电流；第一差分电压分压器，其配置成按比例地降低由第一参考电流偏置的第一双极性晶体管的第一基极‑发射极电压，以生成第一按比例基极‑发射极电压；第二差分电压分压器，其配置成按比例地降低由第二参考电流偏置的第二双极性晶体管的第二基极‑发射极电压，以生成第二按比例基极‑发射极电压；以及带隙电压参考电路，其配置成通过使用第一按比例基极‑发射极电压和第二按比例基极‑发射极电压生成参考电压。