肖特基势垒二极管、形成二极管的方法以及二极管的设计结构

摘要

公开了肖特基势垒二极管（100）的实施例。该肖特基势垒二极管可以在具有掺杂区域（110）的半导体衬底（101）中形成，掺杂区域（110）具有第一导电类型。在所述衬底的顶表面（102）处，沟槽隔离结构（120）横向围绕所述掺杂区域的区段（111）。半导体层（150）可以位于所述衬底的所述顶表面上。该半导体层可以具有在所述掺杂区域的限定部分（111）之上的肖特基势垒部分（151），并具有在所述沟槽隔离结构之上横向围绕所述肖特基势垒部分的保护环部分（152）。所述肖特基势垒部分可以具有所述第一导电类型，所述保护环部分可以具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。金属硅化物层（140）可以覆在所述半导体层上。还公开了该肖特基势垒二极管的形成方法和所述肖特基势垒二极管的设计结构的实施例。

主权项

一种二极管，包括：半导体衬底；所述衬底中的掺杂区域，所述掺杂区域具有第一导电类型；沟槽隔离结构，其在所述衬底的顶表面处横向位于所述掺杂区域的区段的周围；所述衬底的所述顶表面上的半导体层，所述半导体层包括：第一部分，其具有所述第一导电类型，在所述区段之上；以及第二部分，其具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，在所述沟槽隔离结构之上，以便所述第二部分横向围绕所述第一部分；以及所述半导体层上的金属硅化物层。