| 发明名称 | 具有金属载体的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有金属载体的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括金属载体基板。在该载体基板以上形成Alx1Gay1Inz1N(x1+y1+z1＝1，x1≥0，y1≥0，z1≥0)的第一半导体层。Alx2Gay2Inz2N(x2+y2+z2＝1，x2＞x1，y2≥0，z2≥0)的第二半导体层布置在该第一半导体层上并且栅极区域布置在该第二半导体层上。该半导体器件进一步包括源极区域和漏极区域，其中这些区域中的一个电耦合至金属载体基板并且包括延伸穿过第一半导体层的导电区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102130157B | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN201010625076.5 | 申请日期 | 2010.12.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | O·黑贝尔伦;W·里格;C·卡多;M·聪德尔 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;李家麟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括包括金属的载体基板；位于所述载体基板上的Alx1Gay1Inz1N(x1+y1+z1＝1，x1≥0，y1≥0，z1≥0)的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的Alx2Gay2Inz2N(x2+y2+z2＝1，x2＞x1，y2≥0，z2≥0)的第二半导体层；位于所述第二半导体层上的栅极区域；以及源极区域和漏极区域，其中这些区域中的一个电耦合至所述载体基板并且包括延伸穿过所述第一半导体层的导电区域，其中沿着平行于所述第一和第二半导体层之间的界面延伸的横向方向的、介于所述栅极区域和所述漏极区域之间的距离大于沿着与所述界面垂直延伸的垂直方向的所述第一半导体层的厚度。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||