InN/GaN/玻璃结构的制备方法

摘要

本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域，提供一种电学性能良好、稳定性好的InN/GaN/玻璃结构的制备方法。本发明包括以下步骤：1）将玻璃基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，加热玻璃基片，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气，三甲基镓与氮气的流量分别为0.5sccm～0.8sccm与80sccm～120sccm；控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在玻璃基片的GaN缓冲层薄膜；3）继续采用ECR-PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将玻璃基片加热至200℃～400℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气。

主权项

InN/GaN/玻璃结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）将玻璃基片依次用丙酮、乙醇、去离子水依次超声波清洗后，用氮气吹干送入反应室；2）采用ECR‑PEMOCVD（电子回旋共振‑等离子体增强金属有机物化学气相沉积）系统，将反应室抽真空，加热玻璃基片，向反应室内通入氢气携带的三甲基镓、氮气，三甲基镓与氮气的流量分别为0.5sccm（毫升每分）～0.8sccm与80sccm～120sccm；控制气体总压强，电子回旋共振反应得到在玻璃基片的GaN缓冲层薄膜；3）继续采用ECR‑PEMOCVD系统，将反应室抽真空，将玻璃基片加热至200℃～400℃，向反应室内通入氢气携带的三甲基铟、氮气，三甲基铟与氮气流量比为（4～5）：（100～150），控制气体总压强为0.8～2.0Pa，电子回旋共振反应30min～3h沉积制备得InN薄膜，得到在GaN缓冲层薄膜/玻璃结构上的InN光电薄膜。