适用于低电源电压的正高压电平转换电路

摘要

本发明公开了属于集成电路设计技术领域的适用于低电源电压的正高压电平转换电路。本发明的连接关系如下：倍压电路与VIN输入电压连接，电压转换电路分别连接倍压电路和VOUT输出电压。本发明的有益效果为：倍压电路将低压逻辑控制信号的摆幅增大一倍，从而增强了电压转换电路中两个NMOS晶体管的驱动能力，从而减小了电压转换电路在电压转换过程中由交叉耦合结构所导致的下拉NMOS晶体管与上拉PMOS晶体管间的竞争，提高了高压转换的速度，降低了高压转换的功耗，并使所述正高压电平转换电路在低电源电压下仍然能够正常工作。

主权项

适用于低电源电压的正高压电平转换电路，其特征在于，它的连接关系如下：倍压电路（41）的输入端与VIN输入电压连接，电压转换电路（42）的输入端连接倍压电路（41）的输出端，电压转换电路（42）的输出端与VOUT输出电压连接；所述倍压电路（41）的连接关系如下：VIN输入电压分别连接反相器（4109）的输入端、第一电容（4103）、第四PMOS晶体管（4107）的栅极和第六NMOS晶体管（4108）的栅极，第二电容（4104）分别连接反相器（4109）的输出端、第三PMOS晶体管（4105）的栅极和第五NMOS晶体管（4106）的栅极，第七NMOS晶体管（4202）的栅极分别连接第三PMOS晶体管（4105）的漏极和第五NMOS晶体管（4106）的漏极，第八NMOS晶体管（4204）的栅极分别连接第四PMOS晶体管（4107）的漏极和第六NMOS晶体管（4108）的漏极，第三PMOS晶体管（4105）的源极和衬底均连接第一电容（4103）、第四NMOS晶体管（4102）的栅极和第三NMOS晶体管（4101）的漏极的公共节点，第四PMOS晶体管（4107）的源极和衬底均连接第二电容（4104）、第三NMOS晶体管（4101）的栅极和第四NMOS晶体管（4102）的漏极的公共节点，VSS地电位分别连接第五NMOS晶体管（4106）的源极和衬底、第六NMOS晶体管（4108）的源极和衬底、第三NMOS晶体管（4101）的衬底和第四NMOS晶体管（4102）的衬底，VDD电源电压分别连接第三NMOS晶体管（4101）的源极和第四NMOS晶体管（4102）的源极。