半导体装置的制造方法

摘要

本发明的目的之一在于制造适合批量生产的半导体衬底、以及使用该半导体衬底的半导体装置。在所公开的发明的一种方式中，在支撑衬底上形成至少具有绝缘层、第一电极、第一杂质半导体层的叠层体；在第一杂质半导体层上形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第一半导体层；在第一半导体层上利用与第一半导体层不同的条件形成添加有赋予一种导电类型的杂质元素的第二半导体层；通过固相生长法，提高第一半导体层及第二半导体层的结晶性，形成第二杂质半导体层；对第二杂质半导体层添加赋予一种导电类型的杂质元素，并添加赋予与一种导电类型不同的导电类型的杂质元素，并且隔着栅绝缘层形成栅电极层，形成源电极层或漏电极层。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：对添加有赋予一种导电类型的杂质元素的单晶半导体衬底照射离子，以在所述单晶半导体衬底中形成损伤区域；在所述单晶半导体衬底的表面上形成第一电极及绝缘层；使所述绝缘层和支撑衬底彼此紧密附着，以将所述单晶半导体衬底和所述支撑衬底贴合在一起；在所述损伤区域中将所述单晶半导体衬底分离，以在所述支撑衬底上设置至少包括所述绝缘层、所述第一电极、第一杂质半导体层的叠层体；在所述第一杂质半导体层上以与该第一杂质半导体层接触的方式形成添加有赋予所述一种导电类型的杂质元素的第一半导体层；在所述第一半导体层上以与该第一半导体层接触的方式在与所述第一半导体层不同的条件下形成添加有赋予所述一种导电类型的杂质元素的第二半导体层；通过固相生长法，提高所述第一半导体层及所述第二半导体层的结晶性，来形成第二杂质半导体层；对所述第二杂质半导体层添加赋予所述一种导电类型的杂质元素，以形成源区及漏区；对所述第二杂质半导体层添加赋予与所述一种导电类型不同的导电类型的杂质元素，以形成沟道区；在所述沟道区上隔着栅绝缘层而形成栅电极层；以及形成电连接到所述源区及漏区的源电极层及漏电极层，其中，所述第一半导体层通过相对于硅烷类气体的氢气体的流量比大于等于50倍的等离子体化学气相淀积法来形成，其中，所述第二半导体层通过相对于硅烷类气体的氢气体的流量比大于等于2倍且小于等于20倍的等离子体化学气相淀积法来形成。