贯通电极的形成方法与半导体基板

摘要

本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。

主权项

一种贯通电极的形成方法，该方法包括：非贯通孔形成工序，其中，在半导体基板的规定位置，形成在上述半导体基板的外面具有开口的第1非贯通孔、在上述第1非贯通孔的底部具有小于上述第1非贯通孔的开口的第2非贯通孔，由此形成2节状的非贯通孔；种子层形成工序，其中，在上述2节状的非贯通孔的内面上形成绝缘层，并且在上述绝缘层上形成提高与固体金属的紧密粘接性的种子层；固体金属设置工序，其中，呈没有进入上述第2非贯通孔中的形状的固体金属设置于上述第1非贯通孔上；固体金属软化工序，其中，在减压气氛中对上述固体金属加热，将上述固体金属软化或熔融，通过上述已软化或熔融的金属，充满上述第1非贯通孔内的至少一部分，将上述第2非贯通孔的开口封闭；金属填充工序，其中，通过使上述半导体基板为加压气氛，将上述已软化或熔融的金属填充于上述第2非贯通孔中；去除工序，其中，去除上述半导体基板中的针对厚度方向，上述第1和第2非贯通孔不存在的部分。