发明名称 |
半导体组件及形成多位鳍状场效晶体管组件的方法 |
摘要 |
本发明是有关于一种半导体组件及形成多位鳍状场效晶体管组件的方法。所述半导体组件包括多个组件内绝缘区以及多个半导体鳍部,其中前述组件内绝缘区具有第一高度,前述组件内绝缘区是将前述半导体鳍部沿着水平方向各自分开设置。半导体鳍部的一部分是设于前述组件内绝缘区上。此半导体组件还包括第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区,且前述半导体鳍部是设于第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区之间。第一组件间绝缘区以及第二组件间绝缘区的第二高度大于第一高度。 |
申请公布号 |
CN102386230B |
申请公布日期 |
2013.10.16 |
申请号 |
CN201110053261.6 |
申请日期 |
2011.03.03 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈振平;林惠敏;黄明杰;李东颖 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国 |
主权项 |
一种半导体组件,其特征在于,至少包含:多个组件内绝缘区,其中该些组件内绝缘区具有一第一高度;多个半导体鳍部,该些组件内绝缘区是将该些半导体鳍部沿着水平方向各自分开设置,其中该些半导体鳍部的一部分是设于该些组件内绝缘区上,且该半导体鳍部为冠状;以及一第一组件间绝缘区以及一第二组件间绝缘区,该些半导体鳍部是设于该第一组件间绝缘区以及该第二组件间绝缘区之间,其中该第一组件间绝缘区与该第二组件间绝缘区的一第二高度大于该第一高度。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号 |