| 发明名称 | 低温烧结二氧化硅基复合陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷，用通式(1-x)SiO2-xLi2TiO3表示的材料组成，式中x的取值为0.055～0.085。本发明复合陶瓷的烧结温度为1050～1300℃，与二氧化硅陶瓷的烧结温度1550℃相比明显降低，克服了陶瓷材料谐振频率温度系数偏大的缺点，保证了材料的温度稳定性。本发明制备方法所用原料丰富、成本低廉，有利于工业化生产，可广泛应用于微波基板、导弹天线罩等微波器件的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN103351155A | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN201310283083.5 | 申请日期 | 2013.07.05 |
| 申请人 | 陕西师范大学 | 发明人 | 刘鹏;胡成西;刘远 |
| 分类号 | C04B35/14(2006.01)I;C04B35/462(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安永生专利代理有限责任公司 61201 | 代理人 | 高雪霞 |
| 主权项 | 一种低温烧结二氧化硅基复合陶瓷，其特征在于：该复合陶瓷用通式(1‑x)SiO2‑xLi2TiO3表示的材料组成，式中x的取值为0.055～0.085。 | ||
| 地址 | 710062 陕西省西安市长安南路199号 | ||