发明名称 一种具有渐变缓冲层太阳能电池
摘要 一反向变质多接面(IMM)太阳能电池,包括一支持基板;一底电池位于支持基板之上;一渐变缓冲层位于底电池之上;一中间电池位于渐变缓冲层之上;以及一顶电池位于中间电池之上。
申请公布号 CN103354250A 申请公布日期 2013.10.16
申请号 CN201310271821.4 申请日期 2010.03.19
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 李荣仁;林宣乐;李世昌
分类号 H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0352(2006.01)I 主分类号 H01L31/0687(2012.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 陈小雯
主权项 一太阳能电池,包括:一底电池;一渐变缓冲层,位于该底电池之上,包括多个渐变附属层,其中该多个渐变附属层不被掺杂碲;以及一中间电池,位于该渐变缓冲层之上,其中该多个渐变附属层包含一三族元素,该三族元素的含量自靠近该支持基板往远离该支持基板的方向递减。
地址 中国台湾新竹市