发明名称 |
发光器件及制造方法 |
摘要 |
一种制造发光器件的方法,包括在不同导电类型的第一和第二半导体层之间形成有源层,和形成与所述第二半导体层相邻的透明导电材料。所述透明导电材料包括与所述第二半导体层的第一区域接触的第一透明导电区域和与所述第二半导体层的第二区域接触的第二透明导电区域。形成与所述第一半导体层相邻的电极,所述电极与所述第二区域垂直对齐。 |
申请公布号 |
CN102130226B |
申请公布日期 |
2013.10.16 |
申请号 |
CN201010598865.4 |
申请日期 |
2010.12.10 |
申请人 |
LG伊诺特有限公司 |
发明人 |
文智炯;金昭廷;宋俊午;丁焕熙 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;F21S2/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蔡胜有;吴鹏章 |
主权项 |
一种制造发光器件的方法,包括:形成第一半导体层;形成与所述第一半导体层相邻的有源层;形成与所述有源层相邻的第二半导体层,所述有源层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间;形成透明导电层,其包括与所述第二半导体层的第一区域接触的第一透明导电区域和与所述第二半导体层的第二区域接触的第二透明导电区域,其中所述第一区域是所述第二半导体层的底表面的外围区域,所述第二区域是所述第二半导体层的底表面的中央区域;在所述透明导电层上形成导电支撑层;在所述第一和第二导电区域与所述导电支撑层之间形成反射层,和形成与所述第一半导体层相邻的电极,以允许所述电极的至少一部分与所述第二区域垂直对齐,其中所述第一半导体层和所述第二半导体层具有不同的导电类型,其中所述第二透明导电区域形成在对应于所述中央区域的所述第一透明导电区域以及所述第二半导体层的底表面上,和其中所述反射层接触对应于所述外围区域的所述第一透明导电区域的暴露的底表面以及所述第二透明导电区域。 |
地址 |
韩国首尔 |