| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种半导体器件，包括第一导电类型的漂移层(4)；在所述漂移层(4)上的第二导电类型的体区(7)；在所述体区(7)上的第一导电类型的源区(8)；穿过源区(8)、体区(7)延伸进入漂移层(4)的沟槽结构（9），所述沟槽结构（9）包括至少一个栅电极(12)和绝缘结构(10)，其中，所述绝缘结构(10)的一部分在体区(7)下面延伸，其中，所述漂移层(4)、源区(8)和体区(7)中的至少一个包括缺陷化的半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN203242637U | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN201320118464.3 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | R.西米尼克;F.希尔勒;O.布兰克 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一导电类型的漂移层(4)；在所述漂移层(4)上的第二导电类型的体区(7)；在所述体区(7)上的第一导电类型的源区(8)；穿过源区(8)、体区(7)延伸进入漂移层(4)的沟槽结构（9），所述沟槽结构包括至少一个栅电极(12)和绝缘结构(10)，其中，所述绝缘结构(10)的一部分在体区(7)下面延伸，其中，所述漂移层(4)、源区(8)和体区(7)中的至少一个包括缺陷化的半导体材料。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||