发明名称 |
一种磁性多层膜单元及其制备和磁矩翻转方法 |
摘要 |
本发明提供了一种磁性多层膜单元,包括磁性多层膜核心单元和磁矩控制单元,所述多层膜核心单元包括自由层,所述磁矩控制单元包括两个导电层,所述多层膜核心单元的自由层位于所述两个导电层所形成的电场中。另外,本发明还提供了相应的磁性多层膜单元制备方法和磁矩翻转控制方法。本发明极大的降低了器件的功耗;能够提高器件的集成度;制备工艺与半导体工艺相兼容,有利于发展大规模工业生产;有利于自旋电子学器件的小型化;具有抗辐射的优点。本发明的磁性多层膜可广泛应用于未来计算机信息通讯产业领域中的逻辑器件、非易失性存储器、自旋晶体管以及各种传感器等自旋电子学器件中。本发明有利于拓宽自旋电子学器件的应用范围。 |
申请公布号 |
CN102082018B |
申请公布日期 |
2013.10.16 |
申请号 |
CN200910241587.4 |
申请日期 |
2009.11.26 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
温振超;于国强;王译;魏红祥;张曙丰;韩秀峰 |
分类号 |
H01F10/32(2006.01)I;H01F41/14(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I |
主分类号 |
H01F10/32(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 |
代理人 |
王勇 |
主权项 |
一种磁性多层膜单元,包括磁性多层膜核心单元和磁矩控制单元,所述多层膜核心单元包括自由层、势垒层以及自由层与势垒层的界面,所述磁矩控制单元包括两个导电层,所述多层膜核心单元的自由层位于所述两个导电层所形成的电场中,所述两个导电层与磁性多层膜核心单元之间填充有绝缘层,所述势垒层用绝缘材料制成。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南三街8号 |