IGBT击穿保护电路

摘要

本发明涉及一种IGBT击穿保护电路，其特征在于，包括阻抗Z1、Z2、Z3和二极管D1，其特征在于，所述阻抗Z1的一端连接电源VCC，另一端与所述阻抗Z2的一端和所述二极管D1的正极相连接，所述二极管D1的负极与IGBT的集电极C相连接，所述阻抗Z2的另一端与阻抗Z3的一端相连同时输出IGBT的保护信号，所述阻抗Z3的另一端与IGBT的驱动电极G相连。本发明在IGBT被击穿的情况下，能够使IGBT电路处于保护状态。

主权项

一种IGBT击穿保护电路，其特征在于，包括阻抗Z1、Z2、Z3和二极管D1，其特征在于，所述阻抗Z1的一端连接电源VCC，另一端与所述阻抗Z2的一端和所述二极管D1的正极相连接，所述二极管D1的负极与IGBT的集电极C相连接，所述阻抗Z2的另一端与阻抗Z3的一端相连同时输出IGBT的保护信号，所述阻抗Z3的另一端与IGBT的驱动电极G相连，还包括保护信号处理模块、控制中心模块，所述保护信号处理模块与所述阻抗Z2的IGBT保护信号输出端相连，接收所述阻抗Z2输出的保护信号并进行处理，所述控制中心模块与保护信号处理模块连接并接收保护信号处理模块处理的信号，所述控制中心模块根据接收的信号控制IGBT的驱动。