适合于蚀刻高纵横比特征的真空处理室

摘要

本发明的实施方式提供一种适合用于蚀刻高纵横比特征的诸如处理室的装置。在其他实施方式中，公开了能在高纵横比蚀刻期间获得优良处理结果的不同的室部件。例如，在一个实施方式中，提供处理室，所述处理室包括室主体，所述室主体具有设置在室主体中的喷头组件和衬底支撑组件。喷头组件包括至少两个流体地隔离的充气室，能透射光学计量信号的透射区域，以及穿过喷头组件形成的多个气体通路，将充气室流体地耦合至室主体的内部容积。在其他实施方式中，提供了有益于等离子体蚀刻高纵横比特征的新型阴极衬垫、上部外衬垫、下部外衬垫、衬底支撑组件、盖组件、喷头组件和石英环中的至少一个。

主权项

一种用于半导体处理系统的工艺套件，包括：环形主体；从所述主体的底表面延伸的第一脊；从所述主体的底表面向所述第一脊内延伸的第二脊；以及从所述主体的底表面延伸距离比第二脊大且比第一脊小的第三脊。