| 发明名称 | 直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入氧化性溶液中，石墨烯褶皱以及其他缺陷处的金属衬底会被氧化，然后将氧化后的CVD石墨烯连同金属衬底置于光学显微镜下观察即可。本发明的方法重复性高、简单易行；本发明可以使处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到纳米级缺陷分布在低放大倍数光学显微镜下清晰显现出来。 | ||
| 申请公布号 | CN103352210A | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN201310253516.2 | 申请日期 | 2013.06.24 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张燕辉;于广辉;陈志蓥;王彬;张浩然 |
| 分类号 | C23C16/56(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;G01N1/32(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达 |
| 主权项 | 一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入氧化性溶液中，石墨烯褶皱处的金属衬底会被氧化，然后将氧化后的CVD石墨烯连同金属衬底置于光学显微镜下观察即可。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||