发明名称 一种提高单晶硅出片率的切割工艺及其装置
摘要 一种提高单晶硅出片率的切割工艺及其装置,该硅锭切割装置具有至少两个导轮和切割钢线,所述切割钢线经导轮表面的线槽螺旋环绕,所述线槽的形状为“U”形,所述导轮的表面设有纳米磁性材料聚氨酯层。工艺是:采用该硅锭切割装置,控制导轮的转速使切割钢线的线速度为480m/min~680m/min,进刀速度为0.28mm/min~0.32mm/min。优点是:工艺方法简单,操作方便,该装置可以增加对切割钢线具有吸附把持力,通过对切割速度、进刀速度工艺参数的控制,保证了切割过程的稳定,从而减少了钢线断线、跳线、片面的线痕发生率,提高了产品的成品率,降低了生产成本。
申请公布号 CN103350460A 申请公布日期 2013.10.16
申请号 CN201310296474.0 申请日期 2013.07.16
申请人 锦州阳光能源有限公司 发明人 周炳利;谭鑫
分类号 B28D5/04(2006.01)I 主分类号 B28D5/04(2006.01)I
代理机构 锦州辽西专利事务所 21225 代理人 李辉
主权项 一种提高单晶硅出片率的切割工艺,其特征是:具体步骤如下:1.1、采用由导轮和切割钢线构成的硅锭切割装置,导轮表面的硬度≥96A,导轮表面的磁能积为180kJ/m3~450kJ/m3;1.2、控制导轮的转速使切割钢线的线速度为480m/min~680m/min,进刀速度为0.28mm/min~0.32mm/min,砂浆密度1.60g/cm3~1.70g/cm3。
地址 121000 辽宁省锦州市太和区解放西路102号