一种半导体器件

摘要

本实用新型公开了一种半导体器件，包括:半导体本体;半导体本体中的单元区域，其中单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，该结构包括：漏极区；漂移区；源极区；本体区；延伸穿过源极区与本体区并进入漂移区的沟槽；形成在沟槽中的第一场板和其上的栅极区，第一场板和栅极区彼此间以及与半导体本体相互绝缘；半导体本体中围绕单元区域的边缘区域，其包括终止沟槽，第二场板凹陷入其中；位于半导体本体的第二表面上的层间介电层，其中层间介电层延伸进入终止沟槽并且被场氧化物围绕；以及延伸穿过层间介电层的凹槽接触，其中在终止沟槽中，凹槽接触通过层间介电层与栅氧化物隔离并且凹槽接触与凹陷的第二场板电接触。

主权项

一种半导体器件, 其特征在于, 所述器件包括:半导体本体;所述半导体本体中的单元区域，其中所述单元区域包括至少一个沟槽场效应晶体管结构，所述结构包括：       与所述半导体本体的第一表面邻接的具有第一导电类型的漏极区（200）；       位于所述漏极区上的具有第一导电类型的漂移区（202）；       与所述半导体本体的第二表面邻接的具有第一导电类型的源极区（230）；       形成在所述源极区与所述漂移区之间的具有与所述第一导电类型互补的第二导电类型的本体区(225);        延伸穿过所述源极区与所述本体区并进入所述漂移区的沟槽;       形成在所述沟槽中的第一场板(215)和其上的栅极区(220)，所述第一场板和所述栅极区彼此间以及与所述半导体本体相互绝缘；所述半导体本体中围绕所述单元区域的边缘区域，其包括终止沟槽(210)，第二场板(240)凹陷入所述终止沟槽(210)中；位于所述半导体本体的第二表面上的层间介电层(235)，其中所述层间介电层延伸进入所述终止沟槽并且被栅氧化物（206）围绕；以及延伸穿过所述层间介电层的凹槽接触（236），其中在所述终止沟槽中，所述凹槽接触通过所述层间介电层与所述栅氧化物隔离并且所述凹槽接触与凹陷的第二场板电接触。