| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体器件，包含：第一导电类型的漂移层（4）；漂移层（4）上第二导电类型的体区（7）；体区（7）上第一导电类型的源区（8）；位于沟槽中场板（13）和/或栅电极（12），所述沟槽延伸进入漂移层（4）；电介质层（17）上的互连层（22），其中互连层（22）经由电介质层（17）中的至少两个接触孔电连接到同一场板（13）和/或同一栅电极（12）；用于连接源区（8）到互连层（22）的接触插塞（21）。其中，所述漂移层（4）、源区（8）和体区（7）中的至少一个包括缺陷化的半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN203242633U | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN201320118235.1 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | R.西米尼克;M.胡茨勒;O.布兰克;L.J.叶 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 曲宝壮;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包含：第一导电类型的漂移层（4）；漂移层（4）上第二导电类型的体区（7）；体区（7）上第一导电类型的源区（8）；位于沟槽中场板（13）和/或栅电极(12)，所述沟槽延伸进入漂移层（4）；电介质层（17）上的互连层（22），其中互连层（22）经由电介质层（17）中的至少两个接触孔电连接到同一场板（13）或同一栅电极(12)；用于连接源区（8）到互连层（22）的接触插塞（21），其中，所述漂移层(4)、源区(8)和体区(7)中的至少一个包括缺陷化的半导体材料。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||