| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，用于提高具有CMISFET的半导体器件的性能。构成CMISFET的n沟道型MISFET(40)、和p沟道型MISFET(41)的栅极绝缘膜(14、15)，由氮氧化硅膜构成；栅极电极(23、24)，包括位于栅极绝缘膜(14、15)上的硅膜。在栅极电极(23、24)与栅极绝缘膜(14、15)的界面附近，以1×1013～5×1014原子/cm2的面密度导入了像Hf这样的金属元素。n沟道型MISFET(40)和p沟道型MISFET(41)的沟道区域的杂质浓度，被控制在1.2×1018/cm3以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103354238A | 申请公布日期 | 2013.10.16 |
| 申请号 | CN201310257738.1 | 申请日期 | 2006.05.24 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 岛本泰洋;由上二郎;井上真雄;水谷齐治 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于：包括半导体衬底；形成于上述半导体衬底上的n沟道型的第1MISFET；以及形成于上述半导体衬底上的p沟道型的第2MISFET，上述第1MISFET和第2MISFET的栅极绝缘膜，由氧化硅膜或者氮氧化硅膜构成，上述第1MISFET和第2MISFET的栅极电极，包括位于上述栅极绝缘膜上的硅膜，在上述第1MISFET和第2MISFET的上述栅极电极与上述栅极绝缘膜的界面附近，以1×1013～5×1014原子/cm2的面密度导入了金属元素，上述金属元素是Hf、Zr、Pt、Mo、W、Ni、Al、Ti或者Ta，上述第1MISFET和第2MISFET的沟道区域的杂质浓度小于或等于1.2×1018/cm3。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||