发明名称 |
驱动GaN基半导体发光元件、平面光源装置和发光装置的方法 |
摘要 |
本发明提供了驱动GaN基半导体发光元件的方法、驱动图像显示装置的GaN基半导体发光元件的方法、驱动平面光源装置的方法和驱动发光装置的方法,其中,该GaN基半导体发光元件通过层叠具有第一导电型的第一GaN基化合物半导体层、具有阱层的活性层、具有第二导电型的第二GaN基化合物半导体层而形成,该方法包括以下步骤:通过开始注入载流子而开始发光;然后在发光亮度值变成常数之前,停止注入载流子。 |
申请公布号 |
CN101853908B |
申请公布日期 |
2013.10.16 |
申请号 |
CN201010135162.8 |
申请日期 |
2010.02.26 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
西中逸平 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I;H01S5/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
余刚;吴孟秋 |
主权项 |
一种驱动GaN基半导体发光元件的方法,所述GaN基半导体发光元件通过层叠具有第一导电型的第一GaN基化合物半导体层、具有阱层的活性层、具有第二导电型的第二GaN基化合物半导体层而形成,所述方法包括以下步骤:通过照射激光来开始注入载流子从而开始发光;然后在发光亮度值变成常数之前,停止照射所述激光从而停止注入载流子。 |
地址 |
日本东京 |