发明名称 驱动GaN基半导体发光元件、平面光源装置和发光装置的方法
摘要 本发明提供了驱动GaN基半导体发光元件的方法、驱动图像显示装置的GaN基半导体发光元件的方法、驱动平面光源装置的方法和驱动发光装置的方法,其中,该GaN基半导体发光元件通过层叠具有第一导电型的第一GaN基化合物半导体层、具有阱层的活性层、具有第二导电型的第二GaN基化合物半导体层而形成,该方法包括以下步骤:通过开始注入载流子而开始发光;然后在发光亮度值变成常数之前,停止注入载流子。
申请公布号 CN101853908B 申请公布日期 2013.10.16
申请号 CN201010135162.8 申请日期 2010.02.26
申请人 索尼公司 发明人 西中逸平
分类号 H01L33/00(2010.01)I;H01S5/042(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;吴孟秋
主权项 一种驱动GaN基半导体发光元件的方法,所述GaN基半导体发光元件通过层叠具有第一导电型的第一GaN基化合物半导体层、具有阱层的活性层、具有第二导电型的第二GaN基化合物半导体层而形成,所述方法包括以下步骤:通过照射激光来开始注入载流子从而开始发光;然后在发光亮度值变成常数之前,停止照射所述激光从而停止注入载流子。
地址 日本东京