| 摘要 |
Es wird ein Verfahren zum Einbetten magnetischer Nanokristalle (4) in einen Halbleiter, wobei paramagnetische und ferromagnetische Materialien wiederholt abwechselndaus einer Gasphase auf einen Träger (1) abgeschieden werden. Um die magnetischen Nanokristalle (4) sowohl in einer vorgegebenen Tiefe als auch mit einer vorgegebenen horizontalen Verteilung im Halbleiter anordnen zu können, wird vorgeschlagen, dass mit Hilfe einer Gasphasenepitaxie zunächst auf dem Träger (1) eine Pufferschicht (3) aus Galliumnitrid, dann wiederholt abwechselnd paramagnetisches Gallium-Eisennitrid und ferromagnetisches Eisennitrid unter Ausbildung von einphasigen Nanokristallen (4) und abschließend eine Deckschicht (5) aus Galliumnitrid abgeschieden werden. |
