“T”形金属栅电极的制作方法

摘要

本发明提供了一种“T”形金属栅电极的制作方法，首先在定义了“T”形高度的基础上，制作“T”形的“1”部分，然后制作“T”形的“一”部分。该方法简单易实现，并且准确地形成“T”形金属栅电极。

主权项

一种“T”形金属栅电极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层和垂直替代栅极；所述垂直替代栅极的高度定义了“T”形金属栅电极的高度；所述垂直替代栅极的宽度定义了“T”形金属栅电极“1”部分的宽度；在垂直替代栅极的两侧形成侧壁层，以所述侧壁层和垂直替代栅极为掩膜，在半导体衬底中形成源漏区；在半导体衬底上未形成有栅氧化层和垂直替代栅极的位置沉积层间介质层，所述层间介质层经过化学机械研磨之后的高度与垂直替代栅极齐平；对垂直替代栅极进行第一次刻蚀，刻蚀高度为“T”形金属栅电极“一”部分的高度；对垂直替代栅极两侧的层间介质层进行横向刻蚀，定义“T”形金属栅电极“一”部分的宽度；对垂直替代栅极进行第二次刻蚀，去除剩余部分垂直替代栅极，形成“T”形沟槽；在“T”形沟槽内，沉积形成“T”形金属栅电极。