UTILISATION D'ISOLANTS DE MOTT CENTROSYMETRIQUES DANS UNE MEMOIRE DE STOCKAGE DE DONNEES A COMMUTATION RESISTIVE

摘要

L'invention porte sur l'utilisation d'un matériau (1) appartenant à la famille des isolants de Mott centro symétrique s comme matériau actif d'une mémoire de stockage de données à commutation résistive. Le matériau est placé entre deux électrodes électriques (2) à l'aide desquelles un champ électrique d'une valeur prédéterminée est appliqué pour former, par effet d'avalanche électronique, une cellule élémentaire d'information contenant au moins deux états logiques.