发明名称 |
Verfahren zum Bilden von Germanium aufweisenden Photodetektoren |
摘要 |
Verfahren zum Bilden einer Photodetektoreinheit, das Verfahren aufweisend: Bilden einer ersten Isolatorschicht auf einem Substrat; Bilden einer Germaniumschicht (Ge-Schicht) auf der Isolatorschicht und einem Teil des Substrats; Bilden einer zweiten Isolatorschicht auf der Ge-Schicht; Implantieren von n-Ionen in die Ge-Schicht; Strukturieren der n-Ge-Schicht; Bilden einer deckenden Isolatorschicht auf der zweiten Isolatorschicht und einem Teil der ersten Isolatorschicht; Erwärmen der Einheit zum Kristallisieren der Ge-Schicht, wodurch sich eine einkristalline n-Ge-Schicht ergibt; und Bilden von elektrisch mit der einkristallinen n-Ge-Schicht verbundenen Elektroden.
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申请公布号 |
DE112011102241(B4) |
申请公布日期 |
2013.10.10 |
申请号 |
DE201111102241T |
申请日期 |
2011.06.21 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
PARK, JIN-HONG;KIM, JEE HWAN;ASSEFA, SOLOMON;VLASOV, YURII |
分类号 |
H01L31/102 |
主分类号 |
H01L31/102 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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