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Verfahren des Abscheidens einer Ge-Sb-Te-Dünnschicht mit: einem Ge-Sb-Te-Dünnschicht-Herstellungsschritt des Zuführens und Abführens einer ersten Vorstufe, die Ge enthält, einer zweiten Vorstufe, die ein Te enthält, und einer dritten Vorstufe, die Sb enthält, in und aus einer Kammer, in der ein Wafer befestigt ist, und des Bildens der Ge-Sb-Te-Dünnschicht auf dem Wafer; und einem Reaktionsgaszuführschritt während irgendeine der ersten bis dritten Vorstufe zugeführt wird, wobei Plasma in der Kammer angewendet wird während das Reaktionsgas zugeführt wird, und wobei der Ge-Sb-Te-Dünnschicht-Herstellungsschritt durchgeführt durch sequentielles Durchführen eines Zuführschrittes der ersten Vorstufe, eines Abführschrittes der ersten Vorstufe, eines Zuführschrittes der zweiten Vorstufe, eines Abführschrittes der zweiten Vorstufe, eines Zuführschrittes der dritten Vorstufe, eines Abführschrittes der dritten Vorstufe, eines Zuführschrittes wiederum der zweiten Vorstufe und eines Abführschrittes wiederum der zweiten Vorstufe.
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