Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung bereit, die ein PVD-Verfahren verwendet und ein Erzielen einer gewünschten effektiven Arbeitsfunktion und eine Verringerung eines Leckstroms ermöglicht, ohne dass eine äquivalente Oxiddicke vergrößert wird. Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung in einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfasst die Schritte: Vorbereiten eines Substrats, auf welchem ein Isolierfilm mit einer relativen Permittivität größer als die eines Siliziumoxidfilms ausgebildet ist; und Aufbringen eines Metallnitridfilms auf dem Isolierfilm. Der Metallnitridaufbringungsschritt ist ein Schritt zum Sputtern eines Aufbringens in einer evakuierbaren Kammer unter Verwendung eines Metallziels und eines Spitzenmagnetfelds, das über einer Oberfläche des Metallziels durch einen Magnetmechanismus ausgebildet ist, in welchem Magnetstücke als Gitterpunkte in einer solchen Gitterform angeordnet sind, dass die Polaritäten der benachbarten Magnetstücke zueinander entgegengesetzt sind.