| 摘要 |
Eine Zusammenstellung, umfassend: ein Trägerelement (1), einen Chip (2) mit Kontaktelementen (3), wobei der Chip (2) mit dem Trägerelement (1) zugewandten Kontaktelementen (3) auf dem Trägerelement (1) montiert ist, und eine Abschirmschicht (1.1) auf dem Trägerelement (1) zur elektrischen und magnetischen Abschirmung eines Schaltkreiselementes (2.1) des Chips (2), dadurch gekennzeichnet, dass–das Trägerelement (1) eine erste Metallisierungsschicht (1.2) aufweist, welche auf einer ersten, dem Chip (2) zugewandten Oberfläche des Trägerelements (1) angeordnet ist, und eine zweite Metallisierungsschicht (1.3) aufweist, welche auf einer zweiten Oberfläche des Trägerelements (1) angeordnet ist, welche der ersten Oberfläche gegenüberliegt, wobei die erste Metallisierungsschicht (1.2) und die zweite Metallisierungsschicht (1.3) durch eine Durchkontaktierung (1.4) miteinander verbunden sind,–die Abschirmschicht (1.1) in der ersten Metallisierungsschicht (1.2) enthalten ist,–die Abschirmschicht (1.1) mit einem Kontaktelement (3) elektrisch verbunden ist, und–die zweite Metallisierungsschicht (1.3) mit Lötkugeln (4) zur Verbindung mit einer Leiterplatte (5) verbunden ist. |
