基底基板、氮化镓晶体层叠基板及其制造方法

摘要

本发明提供以穿透位错密度低的具有高结晶性的GaN晶体的a面：＜11-20＞面、m面：＜1-100＞面为主面的基板或以＜11-22＞面为主面的基板等在蓝宝石基底基板上层叠有多种面取向的面的GaN晶体层叠基板及其制造方法。所述氮化镓晶体层叠基板包含蓝宝石基底基板、及通过在该基板上结晶生长而形成的氮化镓晶体层，该氮化镓晶体层从形成在蓝宝石基底基板主面的多个槽部的例如由c面构成的侧壁进行横向结晶生长，从而该氮化镓晶体层的表面平行于该主面地形成，该表面包含a面、m面等非极化面、＜11-22＞面等半极化面，且该氮化镓晶体的暗点密度小于2×108个/cm2、优选为1.85×108个/cm2以下、特别优选为1.4×108个/cm2以下。

主权项

一种氮化镓晶体层叠基板，其特征在于，其包含蓝宝石基底基板、及通过在该基板上结晶生长而形成的氮化镓晶体层，该氮化镓晶体层以形成在蓝宝石基底基板主面的多个槽部的侧壁为起点进行横向结晶生长，从而该氮化镓晶体层的表面平行于该主面地形成，且该氮化镓晶体的暗点密度小于2×108个/cm2。