发明名称 一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法
摘要 本发明公开了一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法,包括如下步骤:选取所述芯片设计电路图形中的特征电路图形;将缺陷检测设备扫描得到的缺陷位置文件输入到所述服务器中,所述服务器将所述缺陷位置文件转换为带有所述特征电路图形的缺陷文件;将所述缺陷文件导入到电子显微镜中;所述电子显微镜通过比对所述缺陷文件中的特征电路图形确定缺陷位置。利用本发明的技术,采用电子显微镜通过比对所述缺陷文件中的特征电路图形确定缺陷位置并进行拍照,节省了不断地在相邻芯片进行拍照的步骤,大大提高了设备的有效运作效率,同时也可以避免相邻芯片重复缺陷捕捉失败。
申请公布号 CN103344660A 申请公布日期 2013.10.09
申请号 CN201310264774.0 申请日期 2013.06.27
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 倪棋梁;陈宏璘;龙吟;王恺
分类号 G01N23/225(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I 主分类号 G01N23/225(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 竺路玲
主权项 一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法,应用于对晶圆的缺陷检测和分析过程中,所述晶圆中的芯片设计电路图形存放于一服务器中,其特征在于,包括如下步骤:选取所述芯片设计电路图形中的特征电路图形;将缺陷检测设备扫描得到的缺陷位置文件输入到所述服务器中,所述服务器将所述缺陷位置文件转换为带有所述特征电路图形的缺陷文件;将所述缺陷文件导入到电子显微镜中;所述电子显微镜通过比对所述缺陷文件中的特征电路图形确定缺陷位置。
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