发明名称 增强光刻工艺能力的系统及方法
摘要 本发明公开了一种增强光刻工艺能力的系统及方法,根据光刻工艺需求,调整多灰度圆环形照明光圈的相关参数,从而使得入射光线经过该多灰度圆环形照明光圈后,以符合工艺需求的曝光量照射至硅片表面,进而使得硅片表面的光刻胶形成最终图形,进一步的完成光刻工艺;本发明提供的增强光刻工艺能力的方法能够有效提高各种不同尺寸的图形的综合分辨率和工艺窗口,平衡了各种不同尺寸图形的线宽尺寸,且避免了多次曝光工艺的成本增加和产出量降低的问题,进而提高了生产效率和降低了制造成本,且提高了器件的良率。
申请公布号 CN103345122A 申请公布日期 2013.10.09
申请号 CN201310264698.3 申请日期 2013.06.27
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 毛智彪
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 上海申新律师事务所 31272 代理人 竺路玲
主权项 一种增强光刻工艺能力的系统,应用于硅片的光刻工艺中,所述系统包括聚光透镜,其特征在于,所述系统还包括一多灰度圆环形照明光圈;所述多灰度圆环形照明光圈设置于所述聚光透镜的瞳孔平面;所述多灰度圆环形照明光圈上还设置有双级照明组合;其中,所述双级照明组合包括两个透光孔。
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